请问IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点？
IGBT成为绝缘栅型场效应管GTO门极可关断晶闸管GTR巨型晶闸管MOSFET\x0d\x0a如果你采用的是王兆安的第五版的那么书上的结论如下：\x0d\x0a1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：\x0d\x0a原方N1到副方N2出项两种导通：\x0d\x0a正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTO\x0d\x0aC1放电—R2—V2—L—GTO\x0d\x0a反向关断：C4放电—关断GTO—门级—L—V3\x0d\x0a剩下三种推到方法类似....\x0d\x0a2GTR:图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路\x0d\x0a3MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。
IGBT通过电流与驱动电流有什么关系？
IGBT驱动电流即为门极电流，门极电压和发射极、集电极之间通过的电流关系如下图（Vfm为门极电压，IGBT是电压控制元件）：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT是电压控制元件，IGCT才是电流控制元件。
