h20r1202

电磁炉功率管H20R1203用什么代换

H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。一般IGBT有三个电极,分别称为栅极G、集电极C及发射极E。扩展资料：在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。参考资料来源：百度百科——IGBT

三极管h20r1202是什么意思

　　1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
　　2、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
　　3、h20r1202是三极管的一种型号。

电磁炉功率管H20R1203怎么测试？

h20r1203是大功率场效应管，不能用两三极管的办法测量。测量时字面面对自己管脚朝下，由左到右分别是 G 极 D极 S极 。用指针万用表打到X10K档或X1K档可以触发场效应管，让它工作。方法是：黑表笔接G极，红表笔接S极，然后红表笔不动，黑表笔接D极，你会发现场效应管开通了，就是有很小的阻值了，说明管子在正常工作了。然后黑表笔接S极，红表笔接G极，再次用黑表笔接D极，红表笔接S极，你会发现场效应管关断了（不工作了）。也就是G极控制D极与S极的导通与关断。给G极加正电压，D与S开通，加反电压是关断。

电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是什么？

区别就是设计序号不同，但是电流20A，耐压1200V，可以互换。IGBT是绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流（A），如上述型号20表示额定工作电流为20A；后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压（V），如上述120表示最大关断电压为1200V；最后一位数字是设计序号。扩展资料：H20R1202和H20R1203都是电流20A，耐压1200V的功率管，可以互换。尾号数字不同可能是元件的标记号。当然还可以用NCE25G120可以代替。但对于再次爆管，可能是其他原因引起，因为一些使用久后的变值元件会引起电路中电流的异常 ，导致 IGBT功率管爆管。所以要一一排除。首先查300 V 、5V与18V是否正常，以判断故障问题所在区域, 然后主要查以下几个元件：1.5UF,0.3UF电容是否变值，是否漏电。2.驱动输出的8550.805。3. LM339电压是否异常。参考资料：百度百科-电磁炉

电磁炉大功率的IGBT管H20R1202用什么其他型号可以代替？

H20R1202功率管电流是20A、耐压1200V，用其它型号的IGBT管都可以代换；IGBT功率管损坏，都是击穿，测CE极电阻就可以了。IGBT管极间开路的很少见。 磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小。到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。当然在有害范围其强度在3毫高斯以下，一般而言被视为安全范围。扩展资料：单位换算：1MHz=1000KHZ=1000 000Hz ， 电磁加热机芯频率为：20~25KHz IEEE（国际电子电机工程协会）所定对的范围：磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz 至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小，到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。参考资料来源：百度百科-大功率电磁炉

我的电磁炉H20R1202坏了，能用FGA25N120代替吗？

可以代用。1、因为FGA25N120内含阻尼二极管，在代换IGBT功率管时，最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管。2、如果用不含阻尼二极管IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管时，应该在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管。3、对于2000W以下的电磁炉可选用20A或者25A的IGBT管如20n120cnd或者K25T120型号的管子，对于功率大于2000W的应该选用最大电流40A的IGBT管，如G40N150D。总之管子的参数大一些电磁炉的安全系数相应高一些，故障也会低些。扩展资料：原理1、电磁炉的炉面是耐热陶瓷板，交变电流通过陶瓷板下方的线圈产生磁场，磁场内的磁力线穿过铁锅、不锈钢锅等底部时，产生涡流，令锅底迅速发热，达到加热食品的目的。2、灶台台面是一块高强度、耐冲击的陶瓷平板（结晶玻璃），台面下边装有高频感应加热线圈（即励磁线圈）、高频电力转换装置及相应的控制系统，台面的上面放有平底烹饪锅。3、其工作过程如下：电流电压经过整流器转换为直流电，又经高频电力转换装置使直流电变为超过音频的高频交流电，将高频交流电加在扁平空心螺旋状的感应加热线圈上。4、由此产生高频交变磁场，其磁力线穿透灶台的陶瓷台板而作用于金属锅。5、在烹饪锅体内因电磁感应就有强大的涡流产生，涡流克服锅体的内阻流动时完成电能向热能的转换，所产生的焦耳热就是烹调的热源。

电磁炉功率管H25r1202坏了，可以用FGA25N120代替吗？？

可以代换。因为FGA25N120内含阻尼二极管，在代换IGBT功率管时，最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管；如果用不含阻尼二极管IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管时，应该在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管；对于2000W以下的电磁炉可选用20A或者25A的IGBT管如20n120cnd或者K25T120型号的管子，对于功率大于2000W的应该选用最大电流40A的IGBT管，如G40N150D。总之管子的参数大一些电磁炉的安全系数相应高一些，故障也会低些。扩展资料：除了变频器输出的PWM波，二极管整流的变频器输入的电流波形，直流斩波器输出的电压波形，变压器空载的输入电流波形等，均含有较大的谐波。由于变频电量的频率成分复杂，变频功率计的测量一般包括基波有功功率（简称基波功率）、谐波有功功率（简称谐波功率）、总有功功率等，相比工频功率计而言，其功能较多，技术较复杂，一般称为变频功率分析仪或宽频功率分析仪，部分高精度功率分析仪也适用于变频电量测量。参考资料来源:百度百科-功率管

电磁炉大功率的IGBT管H20R1202用什么其他型号可以代替？

H20R1202功率管电流是20A、耐压1200V，用其它型号的IGBT管都可以代换；IGBT功率管损坏，都是击穿，测CE极电阻就可以了。IGBT管极间开路的很少见。 磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小。到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。当然在有害范围其强度在3毫高斯以下，一般而言被视为安全范围。扩展资料：单位换算：1MHz=1000KHZ=1000 000Hz ， 电磁加热机芯频率为：20~25KHz IEEE（国际电子电机工程协会）所定对的范围：磁场从0.1MHz左右到300MHz左右的频率范围内，所产生的磁场，其磁场强度超过3毫高斯，即对人体有害，90MHz 至300MHz的磁场伤害最大，而愈向上愈接近0.1MHz的磁场伤害愈小，到0.1MHz以下磁场的伤害问题，就更加微不足道了。参考资料来源：百度百科-大功率电磁炉

h20r1202是什么管

1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。2、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。3、h20r1202是三极管的一种型号。

电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是什么？

电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流（A），如上述型号20表示额定工作电流为20A；后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压（V），如上述120表示最大关断电压为1200V；最后一位数字是设计序号。扩展资料：IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。