10n60

20n60C场效应管和10N60的区别

20n60C场效应管和10N60的区别你好，亲，[开心]10n60c和20n60c的区别在于功能不同10n60c稳压三极管实质上是一个面结型三极管，稳压三极管工作在反向击穿状态。在三极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压三极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。20n60c整流三极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用三极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路希望能帮助到您！【摘要】
20n60C场效应管和10N60的区别【提问】
20n60C场效应管和10N60的区别你好，亲，[开心]10n60c和20n60c的区别在于功能不同10n60c稳压三极管实质上是一个面结型三极管，稳压三极管工作在反向击穿状态。在三极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压三极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。20n60c整流三极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用三极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路希望能帮助到您！【回答】
你好，亲，[开心]10n60不能代换20n60，电流小太多希望能帮助到您！【回答】

20n60场效应管参数

20A,600V就是20n的电流600v的电压N通道IGBT*集电极－发射极击穿电压：600V*集电极电流：45A*集电极脉冲电流:300A*耗散功极性:NPNDrain-SourceVoltage漏源电压Vds:600VGate-SourceVoltage栅源电压Vgs:±30VContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=25℃:20AContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=100°℃:12.5APowerDissipation功率损耗Pd:74WStaticDrain-SourceOn-Resistance导通电阻ID=10A,VGS=10V:Typ0.31QMax0.38Q2JunctionandStorageTemperatureRange温度范围:-55~+150°℃20N60场效应管/TO-220封装尺寸:

10n60三极管的参数及管角排例

10N60参数为：场效应管电压电流： 10A,600V制造商零件编号: 10n60种类: mosfet沟道类型: n最大耗散功率 (pd): 156漏源电压 (uds): 600栅源电压 (ugs): 30最大漏极电流 (id): 10最大工作温度 (tj), °c: 150导通上升时间 (tr): 69输出电容 (cd), pf: 166静态的漏源极导通电阻 (rds), ohm: 0.72封装形式: to-220_to-220f_to-220f1_to-220f2_to-262_to-263。管子印有字体一面对着人脸，从左到右依次是一脚为G(栅极) ，二脚为D （漏极)，三脚为S（源极）。扩展资料：可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。场效应管的测量方法：主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电。然后用红表笔接S极，黑表笔接D极，如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1。红笔移回到S极.此时管子应该为导通。然后红笔测D极，而黑笔测S极.应该测得数值为1。(这1步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常，建议进行这1步时再次短接三脚给管子放电先)。参考资料：百度百科-FQPF10N60C

10n60c 是什么三极管

　　是10A 600V的场效应管。
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

10n60三极管的参数及管角排例

10N60参数为：场效应管电压电流： 10A,600V制造商零件编号: 10n60种类: mosfet沟道类型: n最大耗散功率 (pd): 156漏源电压 (uds): 600栅源电压 (ugs): 30最大漏极电流 (id): 10最大工作温度 (tj), °c: 150导通上升时间 (tr): 69输出电容 (cd), pf: 166静态的漏源极导通电阻 (rds), ohm: 0.72封装形式: to-220_to-220f_to-220f1_to-220f2_to-262_to-263。管子印有字体一面对着人脸，从左到右依次是一脚为G(栅极) ，二脚为D （漏极)，三脚为S（源极）。扩展资料：可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。场效应管的测量方法：主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电。然后用红表笔接S极，黑表笔接D极，如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1。红笔移回到S极.此时管子应该为导通。然后红笔测D极，而黑笔测S极.应该测得数值为1。(这1步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常，建议进行这1步时再次短接三脚给管子放电先)。参考资料：百度百科-FQPF10N60C

10n60和11n60c3可代换吗

你好，很高兴为你服务，为你作出如下解答:10n60和11n60c3不可代换，因为它们的功率和电压不同。10n60是一种N型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为100V，而11n60c3则是一种C型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为200V。如果使用10n60替换11n60c3，可能会导致电路过载，从而导致MOSFET烧毁。解决方法：1.在更换MOSFET之前，应先检查电路的电压和功率，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求。2.如果电路的电压和功率超出MOSFET的最大电压和功率，则应使用更高功率和电压的MOSFET来替换。3.在更换MOSFET之前，应先检查电路的其他元件，以确保它们的电压和功率也足够满足电路的要求。4.在更换MOSFET之前，应先检查电路的接线，以确保它们正确无误。5.在更换MOSFET之前，应先检查电路的热量，以确保它们不会受到过热的影响。个人心得小贴士：1.在更换MOSFET之前，应先仔细检查电路的电压和功率，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求。2.在更换MOSFET之前，应先检查电路的其他元件，以确保它们的电压和功率也足够满足电路的要求。3.在更换MOSFET之前，应先检查电路的接线，以确保它们正确无误。4.在更换MOSFET之前，应先检查电路的热量，以确保它们不会受到过热的影响。【摘要】
10n60和11n60c3可代换吗【提问】
你好，很高兴为你服务，为你作出如下解答:10n60和11n60c3不可代换，因为它们的功率和电压不同。10n60是一种N型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为100V，而11n60c3则是一种C型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为200V。如果使用10n60替换11n60c3，可能会导致电路过载，从而导致MOSFET烧毁。解决方法：1.在更换MOSFET之前，应先检查电路的电压和功率，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求。2.如果电路的电压和功率超出MOSFET的最大电压和功率，则应使用更高功率和电压的MOSFET来替换。3.在更换MOSFET之前，应先检查电路的其他元件，以确保它们的电压和功率也足够满足电路的要求。4.在更换MOSFET之前，应先检查电路的接线，以确保它们正确无误。5.在更换MOSFET之前，应先检查电路的热量，以确保它们不会受到过热的影响。个人心得小贴士：1.在更换MOSFET之前，应先仔细检查电路的电压和功率，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求。2.在更换MOSFET之前，应先检查电路的其他元件，以确保它们的电压和功率也足够满足电路的要求。3.在更换MOSFET之前，应先检查电路的接线，以确保它们正确无误。4.在更换MOSFET之前，应先检查电路的热量，以确保它们不会受到过热的影响。【回答】

10n60和11n60c3可代换吗

你好，很高兴为你服务，为你作出如下解答:10n60和11n60c3不可代换，因为它们的功率和电压不同。10n60是一种N型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为100V，而11n60c3则是一种C型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为200V。如果使用10n60替换11n60c3，可能会导致电路过载，从而导致MOSFET烧毁。解决方法：1.在更换MOSFET之前，应先检查电路的电压和功率，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求。2.在更换MOSFET之前，应先检查MOSFET的型号，以确保MOSFET的型号与电路的要求相符。3.在更换MOSFET之前，应先检查MOSFET的规格，以确保MOSFET的规格与电路的要求相符。4.在更换MOSFET之前，应先检查MOSFET的封装，以确保MOSFET的封装与电路的要求相符。个人心得小贴士：在更换MOSFET时，应特别注意MOSFET的型号、规格和封装，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求，以免造成电路过载，从而导致MOSFET烧毁。【摘要】
10n60和11n60c3可代换吗【提问】
你好，很高兴为你服务，为你作出如下解答:10n60和11n60c3不可代换，因为它们的功率和电压不同。10n60是一种N型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为100V，而11n60c3则是一种C型MOSFET，其最大功率为60W，最大电压为200V。如果使用10n60替换11n60c3，可能会导致电路过载，从而导致MOSFET烧毁。解决方法：1.在更换MOSFET之前，应先检查电路的电压和功率，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求。2.在更换MOSFET之前，应先检查MOSFET的型号，以确保MOSFET的型号与电路的要求相符。3.在更换MOSFET之前，应先检查MOSFET的规格，以确保MOSFET的规格与电路的要求相符。4.在更换MOSFET之前，应先检查MOSFET的封装，以确保MOSFET的封装与电路的要求相符。个人心得小贴士：在更换MOSFET时，应特别注意MOSFET的型号、规格和封装，以确保MOSFET的最大电压和功率足够满足电路的要求，以免造成电路过载，从而导致MOSFET烧毁。【回答】

分别以②④为参考结点，列出结点①的结点电压方程。。。。。电路，大学电路，理工学科。

节点电压法是基於每个节点上电流而列出方程，
所以节点1和节点3间需要设一个电流 i，参考方向向左，
节点2为参考点:
节点1: (V1-V4-12)/1 + V1/0.5 +i =0
(1 + 1/0.5)V1 - V4 =12 - i
3V1 - V4 =12 - i，
增补方程: V1 = U。

节点4为参考点:
节点1: (V1-12)/1 + (V1-V2)/0.5 + i = 0
(1 + 1/0.5)V1 -V2/0.5 = 12 - i
3V1 - 2V2 = 12 - i，
增补方程: V1-V2=U。

场效应管20n60c2与10n60的区别

亲，您好，很高兴为您解答：场效应管20n60c2与10n60的区别答 亲亲 您好 10n60c和20n60c的区别在于功能不同10n60c稳压三极管实质上是一个面结型三极管，稳压三极管工作在反向击穿状态。在三极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压三极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。20n60c整流三极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用三极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路【摘要】
场效应管20n60c2与10n60的区别【提问】
亲，您好，很高兴为您解答：场效应管20n60c2与10n60的区别答 亲亲 您好 10n60c和20n60c的区别在于功能不同10n60c稳压三极管实质上是一个面结型三极管，稳压三极管工作在反向击穿状态。在三极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压三极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。20n60c整流三极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用三极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路【回答】

HFP10N60U三脚电子管是个什么管？

HFP10N60U是N沟道MOS场效应管，封装形式是TO-220，主要参数是600V/ 10A，常用于开关电源的开关管。电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被半导体材料制作的放大器和集成电路取代，但在一些高保真的音响器材中，仍然使用低噪声、稳定系数高的电子管作为音频功率放大器件（香港人称使用电子管功率放大器为“胆机”）。电子管管脚的识别电子管的管脚数有4、5、6、7、8、9、11、12、14、20、25个等，但一般常用的大多是4、7、8、9脚管。其中7、9脚管又有大、小之分。管脚的编号是将电子管反转过来，管脚朝上，从最大缺口(小型管)或管钥凸起部分(8脚管)的左边第一个管脚数起，按顺时针方向，依次为1、2、3、4、??，如果是管脚粗细不一样的电子管，就从粗管脚左边沿圆周按顺时针方向数起。两只粗管脚是专接灯丝用的。其他七脚管的3、4脚接灯丝，九脚管4、5脚接灯丝。绝大部分类型的电子管都有与之配套的专用插座，插孔数与管脚数一般是一致的，不过四脚管也能用八脚管的插座。插座的中间有一个接地用的管座隔离芯，使用中一般都要接地，以减少工业干扰和交流声。