请问:太阳能光伏组件填充因子FF具体是什么意思?是值越大越好,还值是越小越好啊?
填充因子表示最大输出功率ImVm与极限输出功率IscVoc之比，通常以FF表示，即：
FF= ImVm /IscVoc
填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。填充因子愈大，太阳电池性能就愈好,优质太阳电池的FF可高达0.8以上。
填充因子主要决定于串联电阻，旁路电阻及PN结特性。串联电阻增大，旁路电阻减小，以及PN结中存在缺陷与杂质等不良情况时，都会使FF变小。此外，填充因子随电池材料的禁带宽度的增大而增大，例如优质砷化镓太阳电池的填充因子常可达到0.87～0.89.而硅电池只能达到0.75～0.82。此外，对同一个太阳电池，在一定光照强度范围内，填充因子随光强的减小而增加。
填充因子还与太阳电池的温度有关，一般随温度的增加而减小，其原因主要是随温度升高， PN结漏电流增加， 太阳电池的电流~电压关系曲线"软化"所致
希望对您有所帮助
太阳能光伏组件填充因子FF具体是什么意思?
填充因子表示最大输出功率ImVm与极限输出功率IscVoc之比，通常以FF表示，即：
FF= ImVm /IscVoc
填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。填充因子愈大，太阳电池性能就愈好,优质太阳电池的FF可高达0.8以上。
填充因子主要决定于串联电阻，旁路电阻及PN结特性。串联电阻增大，旁路电阻减小，以及PN结中存在缺陷与杂质等不良情况时，都会使FF变小。此外，填充因子随电池材料的禁带宽度的增大而增大，例如优质砷化镓太阳电池的填充因子常可达到0.87～0.89.而硅电池只能达到0.75～0.82。此外，对同一个太阳电池，在一定光照强度范围内，填充因子随光强的减小而增加。
填充因子还与太阳电池的温度有关，一般随温度的增加而减小，其原因主要是随温度升高， PN结漏电流增加， 太阳电池的电流~电压关系曲线"软化"所致
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SQL SERVER中，什么是填充因子？
填充因子最简单的理解方法：\x0d\x0a一张A4纸，用word去写东西，写了两页比如，每页10行,且只能容纳10行\x0d\x0a现在你要修改第一页的内容，增加一行，在第9行增加，是不是从10行之后全部顺延下去，然后word自动增加了第三页？？\x0d\x0a这个时候，如果你的填充因子是20行，但，你每页还是只填入了10行，\x0d\x0a那么，你在第一页的第9行增加一行之后，发生了什么事？\x0d\x0a恩，结果就是，仍是两页，且，第二页的文档没有发生任何变化。\x0d\x0a\x0d\x0a这个时候，就有个问题啦：在什么情况下用多大的填充因子呢？呵呵。的确，要看具体需要了，写的多，则大，查的多，则小，具体情况具体对待。\x0d\x0a\x0d\x0a延伸：\x0d\x0a索引最终要的参数：是填充因子。\x0d\x0a当创建一个新索引，或重建一个存在的索引时，你可以指定一个填充因子，它是在索引创建时索引里的数据页被填充的数量。填充因子设置为100意味着每个索引页100％填满，50％意味着每个索引页50％填满。\x0d\x0a如果你创建一个填充因子为100的聚集索引（在一个非单调递增的列上），那意味着每当一个记录被插入（或修改）时，页拆分都会发生，因为在现存的页上没有这些数据的空间。很多的页拆分会降低sqlserver的性能。举个例子：假定你刚刚用缺省的填充因子新创建了一个索引。当sqlserver创建它时，它把索引放在相邻的物理页面上，因为数据能够顺序的读所以这样会有最优的i/o访问。但当表随着、、增加和改变时，发生了页拆分。当页拆分发生时，sqlserver必须在磁盘的某处分配一个新的页，这些新的页和最初的物理页不是连续的。因此，访问使用的是随机的i/o，而不是有顺序的i/o，这样访问索引页会变得更慢。那么理想的填充因子是多少呢？它依赖于应用程序对sqlserver表的读和写的比率。首要的原则，按照下面的指导：低更改的表（读写比率为100：1）：100％的填充因子高更改的表（写超过读）：50-70％的填充因子读写各一半的：80-90％的填充因子在为应用程序找到最优的填充因子前也不得不进行试验。不要假定一个低的填充因子总比高的好。低的填充因子会减少页拆分，它也增加了sqlserver查询期间读的页数量，从而减少性能。太低的填充因子不仅增加i/o开销，也影响缓存。当数据页从磁盘移到缓存中时，整个页（包括空的空间）都移到缓存中。所以填充因子越低，不得不移到sqlserver缓存中的页面就越多，意味着同时为其他重要数据页驻留的空间就少，从而降低性能。如果你没有指定填充因子，缺省的填充因子时0，意味着100％的填充因子（索引的叶页100％的填满，但索引的中间页有预留的空间）。
SQL SERVER中，什么是填充因子？
填充因子最简单的理解方法：
一张A4纸，用word去写东西， 写了两页 比如，每页10行,且只能容纳10行
现在你要修改第一页的内容，增加一行，在第9行增加，是不是从10行之后全部顺延下去，然后 word自动增加了第三页？？
这个时候，如果你的填充因子是20行，但，你每页还是只填入了10行，
那么，你在第一页的第9行增加一行之后，发生了什么事？
恩，结果就是，仍是两页，且，第二页的文档没有发生任何变化。
这个时候，就有个问题啦： 在什么情况下用多大的填充因子呢？ 呵呵。的确， 要看具体需要了，写的多，则大，查的多，则小，具体情况具体对待。
延伸：
索引最终要的参数：是填充因子。
当创建一个新索引，或重建一个存在的索引时，你可以指定一个填充因子，它是在索引创建时索引里的数据页被填充的数量。填充因子设置为100意味着每个索引页100％填满，50％意味着每个索引页50％填满。
如果你创建一个填充因子为100的聚集索引（在一个非单调递增的列上），那意味着每当一个记录被插入（或修改）时，页拆分都会发生，因为在现存的页上没有这些数据的空间。很多的页拆分会降低sqlserver的性能。 举个例子：假定你刚刚用缺省的填充因子新创建了一个索引。当sqlserver创建它时，它把索引放在相邻的物理页面上，因为数据能够顺序的读所以这样会有最优的i/o访问。但当表随着、、增加和改变时，发生了页拆分。当页拆分发生时，sqlserver必须在磁盘的某处分配一个新的页，这些新的页和最初的物理页不是连续的。因此，访问使用的是随机的i/o，而不是有顺序的i/o，这样访问索引页会变得更慢。 那么理想的填充因子是多少呢？它依赖于应用程序对sqlserver表的读和写的比率。首要的原则，按照下面的指导： 低更改的表（读写比率为100：1）：100％的填充因子 高更改的表（写超过读）：50-70％的填充因子 读写各一半的：80-90％的填充因子 在为应用程序找到最优的填充因子前也不得不进行试验。不要假定一个低的填充因子总比高的好。低的填充因子会减少页拆分，它也增加了sqlserver查询期间读的页数量，从而减少性能。太低的填充因子不仅增加i/o开销，也影响缓存。当数据页从磁盘移到缓存中时，整个页（包括空的空间）都移到缓存中。所以填充因子越低，不得不移到sqlserver缓存中的页面就越多，意味着同时为其他重要数据页驻留的空间就少，从而降低性能。 如果你没有指定填充因子，缺省的填充因子时0，意味着100％的填充因子（索引的叶页100％的填满，但索引的中间页有预留的空间）。
