厚膜电阻和薄膜电阻有什么基本区别?
厚膜电路与薄膜电路的区别有两点：其一是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；其二是制造工艺的区别，厚膜电路一般采用丝网印刷工艺，薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成一块完整的集成电路 厚膜集成电路是在陶瓷片或玻璃等绝缘物体上，外加晶体二极管、晶体管、电阻器或半导体集成电路等元器件构成的集成电路，一般用在电视机的开关电源电路中或音响系统的功率放大电路中。部分彩色电视机的伴音电路和末级视放电路也使用厚膜集成电路。 1．电源厚膜集成电路 开关电源电路使用的厚膜集成电路主要用于脉冲宽度控制、稳压控制及开关振荡等。 自激式开关电源电路常用的厚膜集成电路有STR-S6308、STR-S6309、STR-S5941、STR59041等型号。它激式开关电源电路中常用的厚膜集成电路有STR-S6708、STR-S6709等型号。 2．音频功放厚膜集成电路 音频功放集成电路的主要作用是对输入的音频信号进行功率放大，推动扬声器发声。 常用的音频功放厚膜集成电路有STK4803、STK4042、STK4171、STK4191、STK4152、STK4843、STK3048A、STK6153等型号。 市场上流行的傻瓜型厚膜集成电路也称功率模块，是将半导体功放集成电路及其外外围的电阻器、电容器、电感器等元器件封装在一起构成的，常用的有皇后AMP1200、傻瓜175及超级傻瓜D-100、D-150、D-200等型号。这种厚膜集成电路只要接通音源、电源和扬声器即可工作，不用外加其它元器件。 厚膜电路指的是电路的制造工艺,是指在陶瓷基片上采用部分半导体工艺集成分立元件、裸芯片、金属 连线等，一般其电阻是印刷在基片上，通过激光调节其阻值的一种电路封装形式,阻值精度可达0.5%.一般用于微波和航天领域。 1）基板材料：96%氧化铝或氧化铍陶瓷 2）导体材料：银、钯、铂等合金，最新也有铜 3）电阻浆料：一般为钌酸盐系列 4）典型工艺：CAD--制版--印刷--烘干--烧结--电阻修正--引脚安装--测试 5）名字来由：电阻和导体膜厚一般超过10微米，相对溅射等工艺所成电路的膜厚了一些，故称厚膜。当然，现在的工艺印刷电阻的膜厚也有小于10微米的了。
什么是薄膜电阻？
采用薄膜技术制备的电阻。用诸如真空蒸发、磁控溅射等工艺方法，将具有一定电阻率的材料沉积在绝缘基体上，形成具有一定厚度的导电膜层，如碳膜、金属膜（NiCr、TaN2、SiCr等）、金属氧化膜等。膜式电阻，最为关键的工艺，是电阻膜层制备。平常所说的薄膜电阻，指的是片式薄膜电阻器（Thin Film Resistor）。电阻膜层厚度＜1μm的膜称为薄膜；厚度＞10μm的膜称为厚膜。
碳膜电阻和金属膜电阻的区别是什么？
主要区别如下：1、材料的区别碳膜电阻器在瓷管上镀上一层碳而成，将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。金属膜电阻器在瓷管上镀上一层金属而成，用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。2、性能的区别碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声，温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。3、外观上的区别金属膜有五个色环（1%），而碳膜的色环数为四个（5%）。金属膜的为蓝色，碳膜的为土黄色或是其他的颜色。微型电阻过去的国标是按颜色区别，金属膜电阻用红色，碳膜电阻用绿色。区分的方法是下面两种：1.用刀片刮开保护漆，露出的膜的颜色为黑色为碳膜电阻；膜的颜色为亮白的则为金属膜电阻。2.由于金属膜电阻的温度系数比碳膜电阻小得多，所以可以用万用表测电阻的阻值，然后用烧热的电铬铁靠近电阻，如果阻值变化很大，则为碳膜电阻，反之则为金属膜电阻。加热区分：用万用表测电阻的组织，然后用烧热的电烙铁靠近电阻，如果阻值变化很大，则为碳膜电阻，变化较小的为金属膜电阻。
碳膜、氧化膜、金属膜、绕线电阻区别在哪
制造工艺不一样.
薄膜型电阻器
薄膜型电阻器按其结构,主要有碳膜电阻器、金属膜电阻器和金属氧化膜电阻器三种
碳膜电阻器结构：
将气态碳氢化合物在高温和真空中分解,碳沉积在瓷棒或者瓷管上,形成一层结晶碳膜.改变碳膜厚度和用刻槽的方法变更碳膜的长度,可以得到不同的阻值.特点：成本较低,阻值范围宽,有良好的稳定性,温度系数不大且是负值,是目前应用最广泛的电阻器.
金属薄膜电阻结构：
通常用真空镀膜或阴极溅射工艺,将作为电阻材料的某种金属或合金(例如镍铬合金、氧化锡或氮化钽)淀积在绝缘基体上,使绝缘基体表面形成一层导电金属膜.用激光刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值.这种电阻和碳膜电阻相比,体积小、噪声低、稳定性好,但成本较高.金属薄膜电阻器的高频特性好,电流噪声和非线性较小,阻值范围宽,温度系数小（温度系数范围为10~100ppm/°C）,性能稳定,适合用于要求高初始精度、低温度系数和低噪声的精密应用场合,是使用最广泛的一类电阻器.典型应用包括电桥电路、RC振荡器和有源滤波器.各种金属氧化膜电阻器在高频工作情况下,阻值均会下降.
金属氧化膜电阻器结构：
材料：利用金属氯化物（氯化锑,氯化锌,氯化锡）高温下在绝缘基体水解形成金属氧化物电阻膜.特点：由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强.但其在直流下容易发生电解使氧化物还原,性能不太稳定.
线绕电阻器
用康铜或者镍铬合金电阻丝,在陶瓷骨架上绕制成.它的特点是工作稳定,耐热性能好,误差范围小,适用于大功率的场合,额定功率一般在1瓦以上.线绕电阻器具有可靠性高、稳定性好、无非线性,以及电流噪声、温度和电压系数小的优点.值得注意的是,线绕电阻器具有感性和容性效应,通常不适用于50kHz以上的频率.由于集肤效应所致线绕电阻器的阻值通常会随频率的增高而增高.精密型固定线绕电阻器阻值精确,具有非常高的稳定性.功率型线绕电阻器可以经受比稳态工作电压高得多的脉冲电压,但在使用中应作相应的降额.为保证电路长期工作的可靠性,设计应允许线绕电阻器有一定的阻值容差：精密型线绕电阻器为 ±0.4％；功率型线绕电阻器为 ±1.5％.
