米勒效应

“米勒平台”形成原因是什么？

MOSFET开通的过程其实就是向它的极间电容充电的过程。（1）刚开始的时候向Ciss充电，当电压冲到Vth即开启电压前，Vds保持不变，Ids保持不变 （2）当Vgs在Vth（一般是2V左右）和米勒平台电压之间时：Vds保持不变，Ids电流开始上升，Vgs逐渐上升；（3）当Vgs达到米勒平台电压时（一般为5V左右）Ids电流已经达到开通时的大小，这时Vds开始下降，Vgs保持不变为平台电压5.5V，驱动电流几乎全部通过Cgd放电，Vds逐渐降低，最后达到导通时候的电压Ids*Rds(on)。（4）此时管子已经导通了，Vgs继续上升至驱动电压（一般是13，12V）；这时就是导通阻抗的变化了。

什么是米勒效应 米勒效应解释

1、米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。

2、虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。

求解MOS管遇上米勒电容该如何解决？

米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么问题来了：遇到这种情况，在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果？在什么情况下才考虑米勒电容？米勒电容影响的时间怎么计算？就让专业韦尔半导体代理告诉你，遇到米勒效应电容时你应该怎么处理。半导体代理——立深鑫 电子为您介绍，米勒电容不是个实在存在MOS管中的电容，它是由MOS管棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，随增益变化，而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOS管的开启速度，增加开通关断时间。所以，正确的处理方式是在关断感性负载时，如果驱动电路内阻不够小，可以在MOS管的GS间并联一个适当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。至于遇到了MOS管米勒效应电容后如何计算的问题，工程师们可以查询数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。一般情况下，功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。综上所诉，工程师在进行测试的过程中，一旦遇到米勒效应电容问题，首先要依据查询数据手册进行计算，在估算出电容数值后选取适当电容进行电路系统修改调整。除此之外，依据米勒定理进行合理运用，也是能够帮助工程师读懂波纹并找出问题的关键所在。