1982年在西安交通大学获得电子工程系半导体物理与器件专业工学学士学位。
1984年在信息产业部电子第十三研究所获得半导体材料与器件物理专业工学硕士学位。
1991年在中科院西安光学精密机械研究所获得光学专业理学博士学位。
工作经历1991～1993年：在半导体研究所作博士后研究工作，从事GaAs材料的生长及器件研究，在III-V GaAs红外量子阱探测器方面做出了较有影响的研究工作；
1993～1995年：在半导体研究所从事新型半导体材料的研究工作；
1995～2002年，任半导体研究所材料中心主任，所长助理，所学术委员会委员，从事新型半导体材料研究工作，主持并完成了国家"九五"重大科技攻关项目"北方微电子基地"的"国家新型半导体材料研究基地建设"以及"新型半导体材料"项目，包括：亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延Si材料项目；双异质SOI材料项目；高温MESFET用GaN外延材料；高温功率器件用MBE SiC材料；
1999.10～2002.01：访美学者。
1999～至今：半导体研究所创新工程重大项目"半导体功能材料"负责人。在科研、科研管理的同时，积极探索科研成果转化为生产力的途径，积极寻求社会资本，参与组建了北京中科镓英半导体有限责任公司，致力于化合物半导体单晶材料和外延材料的开发生产。
获奖“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目荣获2019年国家科技进步奖一等奖，主要完成人包括：李晋闽、林科闯、王军喜、伊晓燕、刘志强、范玉钵、林洺锋、朱晓东、李国平、袁毅凯、阮军、梁毅、吴晞敏、蔡文必、刘乃鑫。
获得荣誉2021年8月，入选2021年中国科学院院士增选初步候选人名单。[3]
2020年，何梁何利基金2020年度科学与技术创新奖。
2019年，高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化，一等奖，国家级。
2019年，山西省科技创新特殊贡献奖，省级。
2017年，中国产学研合作突出贡献奖（共10名），其他。
2015年，氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术，二等奖，国家级。
2014年，低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术，二等奖，国家级。
2014年，高功率全固态激光器关键技术及应用研究，二等奖，省级。
2012年，高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术，一等奖，省级。[4]
主要成就论文著作英文论著
Gao-F ，Huang-CJ， Huang-DD， Li-JP ，Sun-DZ， Kong-MY， Zeng-YP， Li-JM， Lin-LY, "Changing the Size and Shape of Ge Island by Chemical Etching" JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 231, Iss 1-2, pp 17-21,2001.
Wang-YS, Li-JM ,Jin-YF ,Wang-YT ,Sun-GS, Lin-LY, "The Formation and Stability of Si1-xCx Alloys in Si Implanted with Carbon" CHINESE SCIENCE BULLETIN 2001, Vol 46, Iss 3, pp 200-204,2001.
Liu-B ,Zhuang-QD ,Yoon-SF, Dai-JH, Kong-MY ,Zeng-YP, Li-JM,Lin-LY, Zhang-HJ, "Properties and Turning of Intraband Optical-Absorption in InxGa1-xAs/GaAs Self-Assembled Quantum-Dot Superlattice" INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 2001, Vol 15, Iss 13, pp 1959-1968,2001.
Wang-JX ,Sun-DZ ,Wang-XL, Li-JM ,Zeng-YP, Hou-X, Lin-LY, High-Quality GaN Grown by Gas-Source MBE JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 386-389,2001.
Sun-GS ,Li-JM, Luo-MC ,Zhu-SR, Wang-L, Zhang-FF, Lin-LY, Epitaxial-Growth of SiC on Complex Substrates JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 811-815,2001.
Li-JM, Sun-GS, Zhu-SR, Wang-L, Luo-MC ,Zhang-FF, Lin-LY, Homoepitaxial Growth and Device Characteristics of SiC on Si-Face-(0001) 6H-SiC JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 816-819 ,2001.
Gao-F, Huang-DD ,Li-JP ,Kong-MY, Sun-DZ, Li-JM ,Zeng-YP, Lin-LY, Growth of SiGe Heterojunction Bipolar-Transistor Using Si2H6 Gas and Ge Solid Sources Molecular-Beam Epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 223, Iss 4, pp 489-493,2001
Gao-F, Lin-YX, Huang-DD, Li-JP ,Sun-DZ ,Kong-MY, Zeng-YP ,Li-JM, Lin-LY, Effects of Annealing Time and Si Cap Layer Thickness on the Si/SiGe/Si Heterostructures Thermal-Stability JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 766-769,2001.
Gao-F, Huang-DD ,Li-JP, Lin-YX ,Kong-MY, Li-JM, Zeng-YP ,Lin-LY, The Growth of Si/SiGe/Si Structures for Heterojunction Bipolar-Transistor by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2000, Vol 220, Iss 4, pp 457-460,2001.
中文论著
《场助半导体光电阴极理论与实验》 科学出版社 1993年。
